世界知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发的“1200V第四代SiC MOSFET※1”，非常适合车载动力总成系统和包括主机逆变器在内的工业设备的供电。

对于功率半导体，当导通电阻降低时，短路耐受时间。※因此，在降低SiC MOSFET导通电阻时，如何平衡短路耐受时间一直是一个挑战。

※3本次开发的新产品通过进一步完善ROHM独特的双沟槽结构，改善了两种产品之间的矛盾和权衡关系。与以前的产品相比，在不牺牲短路容限时间的情况下，单位面积导通电阻成功降低了约40%。

此外，通过大幅降低寄生电容ROHM IC。※4(开关过程中的一个问题)，与以前的产品相比，开关损耗成功降低了约50%。

因此，采用兼具低导通电阻和高速开关性能的第四代SiC MOSFET，将大大有助于大幅缩小体积，进一步降低车载逆变器和各种开关电源等诸多应用的功耗。该产品的样品从2020年6月开始以裸芯片的形式提供，未来计划以分立封装的形式提供样品。

近年来，新一代电动汽车(xEV)的进一步普及推动了更高效、更小、更轻的电动系统的发展。尤其是在驱动中起关键作用的主机逆变系统，更是成为了重要的课题之一，这就需要对功率器件进行进一步的改进。

此外，在电动汽车领域，为了延长续航里程，车载电池的容量也在日益增加。同时要求缩短充电时间，电池电压越来越高(800V)。为了解决这些问题，人们期待具有高耐压和低损耗的碳化硅功率元件。

在此背景下，2010年ROHM在全球率先量产SiC MOSFET。ROHM很早就开始强化符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容，ROHM IC在车载充电器(obc)领域拥有较高的市场份额。这一次，第四代SiC MOSFET的推出，在导通电阻和短路耐受时间之间有了更好的权衡，将在现有市场之外，加速其在主机逆变器主导市场的应用。

未来，ROHM将继续扩充SiC功率元器件的产品阵容，并结合控制iC等外围元器件的优势和模块化技术，充分发挥元器件的性能，继续为下一代汽车的技术创新贡献力量。此外，ROHM还将继续为客户提供多元化的解决方案，包括缩短应用开发时间和帮助预防和评估问题的在线模拟工具，帮助客户解决问题。