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ROHM新品|适用于工业设备和基站电机的新一代双极MOSFET

发表于2021-08-03

  1. 世界知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发了双极型MOSFET*1“QH8MX5/SH8MX5系列(Nch Pch*2)”,内置两个MOSFET,耐压40V和60V,支持24V输入 ,非常适用于FA、基站(散热风扇)等工业设备的电机驱动。


      背景


      近年来,为了支持工业设备和基站电机使用的24V输入,考虑到电压稳定裕度,MOSFET作为驱动器件需要具备40V和60V耐压能力。 此外,为了进一步提高效率和减小电机尺寸,MOSFET 还需要更低的导通电阻和高速开关操作。


      在此背景下,继2020年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,ROHM开发了耐压40V和60V的第六代MOSFET,将全新的微技术融入Nch。 通过这种组合,ROHM 拥有业界先进的 Nch Pch 双极 MOSFET 产品,耐压等级为 40V 和 60V,并支持 24V 输入。 此外,为了满足更广泛的需求,ROHM开发了耐压40V、60V的“QH8Kxx/SH8Kxx系列(Nch Nch)”,产品阵容达到12款。


      该系列产品采用ROHM的新技术,实现了行业内的超低导通电阻。  40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%(与双极型MOSFET的Pch部分相比),有助于进一步降低各种器件的功耗。 此外,通过将两个器件集成到一个封装中,有助于减少安装面积以实现器件的小型化,也有助于减少器件选择(Nch 和 Pch 的组合)的时间。


      新产品功能


      1 实现业界超低导通电阻


      罗姆此次开发的先进双极型MOSFET,与普通产品相比,Pch部分的导通电阻降低了高达61%,Nch部分的导通电阻也降低了高达39%, 这有助于降低各种设备的成本。 能量消耗。


      具有双极型MOSFET的特性,有助于实现设备的小型化,缩短设计周期


      将两个器件放在一个封装中有助于使器件小型化并减少器件选择的时间。 在小型化方面,如果用新产品(TSMT8)代替之前的Nch Pch双极MOSFET(SOP8),安装面积可减少75%。


      结合前置驱动器集成电路


      可以提供更好的电机驱动解决方案


      通过将本产品与罗姆的单相和三相无刷电机预驱动IC相结合,可以进一步考虑电机的小型化、低功耗和静音驱动。 通过对双极型MOSFET系列和外围电路设计的预驱动IC提供全面支持,我们可以为客户提供更好的电机驱动解决方案来满足他们的需求。


      组合示例


      ■ QH8MC5(60V耐压Nch Pch双极MOSFET)和BD63001AMUV(三相无刷电机预驱动IC)


      ■ SH8KB6(40V耐压Nch Nch双极MOSFET)和BM62300MUV(三相无刷电机前置驱动IC)


      ■ SH8KB6(40V耐压Nch Nch双极MOSFET)和BD63002AMUV(三相无刷电机前置驱动IC)等。


      产品阵容


      Nch Pch 双极型 MOSFET


      Nch Nch 双极型 MOSFET


      应用实例


      ■FA设备、机器人等工业设备及基站用FA电机


      ■用于大型消费电子设备的风扇电机


      术语解释


      * 1) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写)


      金属氧化物半导体场效应晶体管是场效应晶体管中最常用的结构。 用作开关元件。


      *2) Pch MOSFET 和 Nch MOSFET


      Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极的负电压而导通的 MOSFET。


      可由低于输入电压的电压驱动,因此电路结构简单。


      Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极的正电压而导通的 MOSFET。


      与Pch MOSFET相比,漏极和源极之间的导通电阻更小,因此可以降低常规损耗。


      *3) 导通电阻


      场效应晶体管导通时漏源极间的电阻值。 该值越小,运行过程中的损耗(功率损耗)越小。世界知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发了双极型MOSFET*1“QH8MX5/SH8MX5系列(Nch Pch*2)”,内置两个MOSFET,耐压40V和60V,支持24V输入 ,非常适用于FA、基站(散热风扇)等工业设备的电机驱动。


      背景


      近年来,为了支持工业设备和基站电机使用的24V输入,考虑到电压稳定裕度,MOSFET作为驱动器件需要具备40V和60V耐压能力。 此外,为了进一步提高效率和减小电机尺寸,MOSFET 还需要更低的导通电阻和高速开关操作。


      在此背景下,继2020年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,ROHM开发了耐压40V和60V的第六代MOSFET,将全新的微技术融入Nch。 通过这种组合,ROHM 拥有业界先进的 Nch Pch 双极 MOSFET 产品,耐压等级为 40V 和 60V,并支持 24V 输入。 此外,为了满足更广泛的需求,ROHM开发了耐压40V、60V的“QH8Kxx/SH8Kxx系列(Nch Nch)”,产品阵容达到12款。


      该系列产品采用ROHM的新技术,实现了行业内的超低导通电阻。  40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%(与双极型MOSFET的Pch部分相比),有助于进一步降低各种器件的功耗。 此外,通过将两个器件集成到一个封装中,有助于减少安装面积以实现器件的小型化,也有助于减少器件选择(Nch 和 Pch 的组合)的时间。


      新产品功能


      1 实现业界超低导通电阻


      罗姆此次开发的先进双极型MOSFET,与普通产品相比,Pch部分的导通电阻降低了高达61%,Nch部分的导通电阻也降低了高达39%, 这有助于降低各种设备的成本。 能量消耗。


      具有双极型MOSFET的特性,有助于实现设备的小型化,缩短设计周期


      将两个器件放在一个封装中有助于使器件小型化并减少器件选择的时间。 在小型化方面,如果用新产品(TSMT8)代替之前的Nch Pch双极MOSFET(SOP8),安装面积可减少75%。


      结合前置驱动器集成电路


      可以提供更好的电机驱动解决方案


      通过将本产品与罗姆的单相和三相无刷电机预驱动IC相结合,可以进一步考虑电机的小型化、低功耗和静音驱动。 通过对双极型MOSFET系列和外围电路设计的预驱动IC提供全面支持,我们可以为客户提供更好的电机驱动解决方案来满足他们的需求。


      组合示例


      ■ QH8MC5(60V耐压Nch Pch双极MOSFET)和BD63001AMUV(三相无刷电机预驱动IC)


      ■ SH8KB6(40V耐压Nch Nch双极MOSFET)和BM62300MUV(三相无刷电机前置驱动IC)


      ■ SH8KB6(40V耐压Nch Nch双极MOSFET)和BD63002AMUV(三相无刷电机前置驱动IC)等。


      产品阵容


      Nch Pch 双极型 MOSFET


      Nch Nch 双极型 MOSFET


      应用实例


      ■FA设备、机器人等工业设备及基站用FA电机


      ■用于大型消费电子设备的风扇电机


      术语解释


      * 1) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写)


      金属氧化物半导体场效应晶体管是场效应晶体管中最常用的结构。 用作开关元件。


      *2) Pch MOSFET 和 Nch MOSFET


      Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极的负电压而导通的 MOSFET。


      可由低于输入电压的电压驱动,因此电路结构简单。


      Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极的正电压而导通的 MOSFET。


      与Pch MOSFET相比,漏极和源极之间的导通电阻更小,因此可以降低常规损耗。


      *3) 导通电阻


      场效应晶体管导通时漏源极间的电阻值。 该值越小,运行过程中的损耗(功率损耗)越小。