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最新的ROHM功率元器件

发表于2019-10-15

  1. ROHM功率元器件首先实现了采用量产中的沟槽结构SiC-MOSFET元件的“全SiC”功率模块的产品化。该产品的额定电压为1200V,额定电流为180A,内部电路为半桥配置。与同等额定水平的Si-IGBT功率模块产品相比,其显著优势当然不必言说,即使与量产中的1200V/180A的SiC-MOSFET模块相比,其开关损耗也大幅降低。

    今后,ROHM功率元器件计划开发分立封装的额定电压650V、1200V的产品,并继续扩充更大额定电流的产品群。

    ROHM功率元器件的智能功率模块产品

    与因元器件的特性优势而备受瞩目的SiC功率元器件相比,在价格方面更具优势的硅材质功率元器件产品的市场规模依然很大。ROHM功率元器件也在致力于使用硅材质半导体的功率元器件开发。不仅不断完善IGBT和MOSFET等分立半导体、IC的产品群,还在不断扩充功率元件和控制IC相结合的复合型产品阵容等,积极发挥综合半导体元器件制造商的综合实力优势,使产品阵容不断壮大。下面简单介绍一下相关产品。

    ①IGBT智能功率模块(IGBT-IPM)

    为降低功耗,众多电机应用中均实现了设备的变频化。这些变频设备中广为采用的产品是将IGBT功率元件、控制它们的IC以及外围电路1体化封装的功率模块产品(IPM:智能功率模块)。ROHM功率元器件的IGBT-IPM产品搭载自产的硅材质IGBT元器件,并已投入量产。

    ②MOS智能功率模块(MOS-IPM)

    近年来,在白色家电领域,节能趋势尤为显著。产品倾向于采用更接近实际使用情况的能效标识APF(Annual Performance Factor),不再仅仅关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能,要求在负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。

    ROHM功率元器件不仅实现了IGBT-IPM的量产,还开发出搭载自产的低导通电阻“PrestoMOS”、并融入独有的IC控制技术的MOS-IPM产品,并已于2015年8月投入量产。

    采用可支持大电流的PrestoMOS,一般MOSFET具有在高速开关条件下和低电流范围内的导通损耗较低的优势,以及降低设备正常运转时的功耗的效果。ROHM功率元器件通过采用自产PrestoMOS,不仅达到了以往的MOSFET很难实现的可支持更大电流的功效,更大大降低导通损耗,实现了IPM的产品化。

    采用ROHM功率元器件独有的电路技术的栅极驱动器IC,ROHM功率元器件通过采用独有的栅极驱动电路,进一步实现了IPM产品的高效化。例如,通过导入可防止高电压条件下高速开关动作容易产生的MOSFET误动作的电路,实现高速开关动作,以降低开关损耗。另外,考虑到开关时产生的噪音,优化了开关损耗和噪音的平衡关系,从而实现了可最大限度充分发挥PrestoMOS性能的栅极驱动。

    由于具备这些特点,在低电流工作条件下,ROHM功率元器件生产的MOS-IPM产品与IGBT-IPM产品相比,损耗大幅降低。通过业界顶级的低功耗,为整个应用的进一步节能做出贡献。

    为了进一步实现节能化,ROHM功率元器件在已经实际应用的SiC功率元器件领域,进一步推进技术革新。另外,在硅材质半导体领域,也将不断完善产品阵容,同时,积极拓展包括控制IC在内的复合型产品群。

    今后,ROHM功率元器件将继续致力于推进在节能方面为社会贡献力量的元器件开发。