＜概要＞

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向车载充电器和DC/DC转换器^※1）又推出SiC MOSFET^※3）“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101^※2），而且产品阵容丰富，拥有13个机型。
ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特基势垒二极管（SBD）^※4）、于2017年开始供应车载充电器和DC/DC转换器用的SiC MOSFET。
此次新增加的10个机型是采用沟槽栅极结构^※5）、并支持车载应用的SiC MOSFET，产品已于2018年12月开始以月产50万个的规模开始量产（样品价格：500～5,000日元／个，不含税。※具体价格因产品而异）。前期工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.（日本福冈），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。

＜背景＞

近年来，随着环保意识的提高和燃油价格的飙升，电动汽车的市场需求不断增长。而另一方面，虽然电动汽车（EV）日渐普及，然而续航距离短始终是亟需解决的课题之一。为了延长续航距离，所配置电池的容量呈日益增加趋势，与此同时，还要求缩短充电时间。而要想实现这些目标，就需要更高输出且更高效率的车载充电器（11kW、22kW等），采用SiC MOSFET的应用越来越多。另外，以欧洲为中心，所配置电池的电压也呈日渐增高趋势（800V），这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。
为了满足这些市场需求，ROHM一直在加强满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容，加上此次新增的产品，ROHM实施量产的SiC SBD和SiC MOSFET已达到34个机型，拥有傲人的业界领先阵容。在SiC MOSFET领域，拥有650V、1200V耐压的产品阵容，可为客户提供先进的解决方案。

自创立以来，ROHM一直秉承“品质第一”的企业宗旨，采用从开发到制造全部在集团内进行的“垂直统合型”体系，在所有的流程中严格贯彻高品质理念，并积极建立切实可靠的可追溯系统，优化供应链。针对SiC功率元器件产品，也建立了从晶圆到封装在集团内部生产的一条龙生产体制，消除了生产过程中的瓶颈，实现高品质和高可靠性。
未来，ROHM将努力进一步提高品质，并继续壮大元器件性能更高的产品阵容，为应用的小型化、低功耗化贡献力量。

＜产品阵容＞

产品类型 (栅极结构)	产品名	VDS (V)	导通电阻 (typ.)(mΩ)	ID (A)	PD (W)	工作温度范围 (℃)	封装	支持标准
第3代 (沟槽栅极结构)	SCT3017ALHR	650	17	118	427	-55～+175	TO-247N	AEC-Q101
	SCT3022ALHR		22	93	339
	SCT3030ALHR		30	70	262
	SCT3060ALHR		60	39	165
	SCT3080ALHR		80	30	134
	SCT3120ALHR		120	21	103
	SCT3022KLHR	1200	22	95	427
	SCT3030KLHR		30	72	339
	SCT3040KLHR		40	55	262
	SCT3080KLHR		80	31	165
	SCT3105KLHR		105	24	134
	SCT3160KLHR		160	17	103
第2代 (平面栅极结构)	SCT2080KEHR	1200	80	40	262

＜ROHM的SiC功率元器件开发历史＞

＜ROHM的优势--垂直统合型生产体制＞

＜适用应用示意图＞

＜术语解说＞

*1)DC/DC转换器

将直流电压转换为工作所需的电源电压的转换器。

*2)汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件（晶体管、二极管等）制定的标准。

*3)MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的简称)

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中常用的结构，用作开关元件。

*4)肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode：SBD）

利用金属与和半导体接触形成肖特基结、从而获得整流性（二极管特性）的二极管。没有少数载流子存储效应，具有优异的高速特性。

*5)沟槽栅极结构

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。