发表于2018-11-19
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展，系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，受可靠性等因素影响，迟迟难以推出相应产品，所以1700V耐压的产品一般使用IGBT。
在这种背景下，ROHM推出了实现额定1700V的全SiC功率模块，新产品不仅继承了1200V耐压产品中深获好评的节能性能，还进一步提高了可靠性。
此次新开发的模块采用新涂覆材料和新工艺方法，成功地预防了绝缘击穿，并抑制了漏电流※1）的增加。在高温高湿反偏试验（HV-H3TRB）※2）中，实现了极高的可靠性，超过1,000小时也未发生绝缘击穿现象。从此，在高温高湿度环境下也可以安心地处理1700V的高耐压了。
另外，模块中采用了ROHM产的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（SBD），通过优化模块内部结构，使导通电阻性能比与同等SiC产品优异10％，非常有助于应用进一步节能。
本模块已于2018年10月开始投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.（日本福冈），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都）。
未来，ROHM不仅会继续扩充让客户安心使用的产品阵容，还会配备可轻松测试SiC模块的评估板等，以进一步满足日益扩大的市场需求。
通过采用新涂覆材料作为芯片的保护对策，并引进新工艺方法，使新模块通过了HV-H3TRB高温高湿反偏试验，从而使1700V耐压的产品得以成功走向市场。
比如在高温高湿反偏试验中，比较对象IGBT模块在1,000小时以内发生了引发故障的绝缘击穿，而BSM250D17P2E004在85℃／85%的高温高湿环境下，即使施加1360V达1,000小时以上，仍然无故障，表现出极高的可靠性。
新模块中使用的是ROHM产的SiC SBD和SiC MOSFET。通过SiC SBD和SiC MOSFET的佳组合配置，使导通电阻低于同等普通产品10%，这将非常有助于应用进一步节能。
| 品名 | 绝对大额定值（Ta=25℃） |
电感 (nH) |
封装 | 热敏电阻 | 内部电路图※ | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VDSS (V) |
VGS (V) |
ID (A) 〔Tc =60℃〕 |
Tj max (℃) |
Tstg (℃) |
Visol (V) 〔AC 1min.〕 |
|||||
| BSM080D12P2C008 | 1200 | -6～22 | 80 | 175 | -40～125 | 2500 | 25 |
C type 45.6x122x17mm |
- |
|
| BSM120D12P2C005 | 120 | |||||||||
| BSM180D12P3C007 | -4～22 | 180 | ||||||||
| BSM180D12P2E002 | -6～22 | 180 | 13 |
E Type 62x152x17mm |
○ |
|
||||
| BSM300D12P2E001 | 300 | |||||||||
| BSM400D12P3G002 | -4～22 | 400 | 10 |
G Type 62x152x17mm |
||||||
| BSM600D12P3G001 | 600 | |||||||||
 BSM250D17P2E004 |
1700 | -6～22 | 250 | 3400 | 13 |
E Type 62x152x17mm |
||||
※ 产品阵容中包括Chopper型产品。详情请咨询ROHM营业部门。
