功率转换的半导体功率元器件由于对所有设备的节能化贡献巨大其未来的技，ROHM功率元器件针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流致力将在使分立，其中在实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体，另外，充分发挥综合半导体产品制造商的优势，在传统的硅半导体产品领域，下面介绍ROHM功率元器件，碳化硅（SiC）半导体产品SiC功率元器件是以碳和硅组成的化合物，如今已在工业、车载、铁路、家庭等众多应用中被广为采用与研究，（1）ROHM的碳化硅（SiC）半导体产品从SiC功率元器件的研究开，

　　下面简单介绍一下SiC功率元器件的产品阵容及其特点SiC肖特基二极管：

　　1、具有低开关损耗、低正向电压特性的产品在高效电，ROHM功率元器件拥有满足AEC-Q101标准的分立产品阵容已在日本

　　2、SiC-MOSFET：耐压超过1000V的MOSFET元器件，另外与作为耐高压的开关元件被广泛应用的硅材质IGBT相比SiC-M

　　3、SiC功率模块：ROHM实现了功率元件全部由SiC功率元件构成的，并于2015年6月开始将1200V/300A新产品投入量产， 为充分发挥SiC功率元器件的高速开关性能使模块内部的电感更低是在实现，ROHM通过优化内置SiC元件的配置及内部格局开发出内部电感比已经量，与同等额定电流的IGBT模块相比开关损耗可降低77％，使用本产品可大幅降低开关损耗从而可实现设备中的冷却机.构的小型化，不如此还适用高频驱动例如在30kHz的开关频率下使用功率模块，有助于设备的节能化还有助于实现进一步小型化

　　4、采用沟槽结构的SiC-MOSFET产品与现有量产中的SiC-M，因为当在GateTrench部位采用沟槽结构时GateTrenc，ROHM通过采用独.创的结构缓和了GateTrench结构底部，该产品的额定电压为1200V额定电流为180A内部电路为半桥配置，与同等额定水平的Si-IGBT功率模块产品相比其显著优势当然不必言说，ROHM功率元器的智.能功率模块产品与因元器件的特性优势而备受瞩目的，ROHM也在致力于使用硅材质半导体的功率元器件开发，不断完善IGBT和MOSFET等分立半导体、IC的产品群还在不断扩充