近年来，电动汽车（xEV）在全球减少环境负担的努力中越来越受欢迎，例如“创建无碳社会”和“碳中和”。 为了进一步提高系统效率，对各种车载设备逆变器和变换器电路中使用的功率半导体、超低损耗SiC功率器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）提出了多样化的要求。  .) 和传统的全硅功率元件（IGBT、SJ-MOSFET 等）正在经历技术变革。

  ROHM功率元器件致力于为广泛的应用提供有效的功率解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元件，还积极推动Si功率元件和驱动IC技术和产品的开发。 这一次，我们开发了混合IGBT，可以为流行的汽车和工业设备提供更高的性价比。

  “RGWxx65C 系列”是混合型 IGBT。  IGBT*2的反馈单元（续流二极管）采用ROHM功率元器件元件的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），成功降低了以往IGBT产品的电导率。 导通期间的开关损耗（以下简称“导通损耗”*3）。 本产品用于车载充电器时，损耗较之前的IGBT产品降低67%，与超级结MOSFET（SJ-MOSFET）相比，损耗降低24%，有助于进一步 提高性价比。 降低汽车和工业设备应用的功耗。

  新产品已于2021年3月开始销售样品（样品价格：1,200日元/件，不含税），预计从2021年12月起暂时投入量产，月产量为20,000台。  ROHM功率元器件元件官网还免费提供该系列产品所需的丰富设计资料的免费评估和导入，包括应用指南和包含驱动电路设计方法的SPICE模型，支持快速推向市场。

  未来，罗姆功率元件将继续开发满足各种需求的低损耗功率元件。 同时，将提供设计工具和各种解决方案，通过辅助应用系统的节能和小型化，为减少环境负荷做出贡献。